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2SA1791G

更新时间： 2024-01-24 04:46:36
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 223K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SA1791G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.79
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

2SA1791G 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SA1791G  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For high-frequency amplification  
Complementary to 2SC4656G  
■ Features  
• High transition frequency fT  
■ Pacage  
• Code  
• Small collector output capacitance Cob  
• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipmet and  
automatic insertion through the tape packing.  
SS
• Marmbol: AL  
Name  
1. Be  
2. Emitter  
3. Collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 2°C  
Parameter  
Symbl  
VCBO  
VO  
VEBO  
IC  
−50  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base ope)  
Emitter-base voltage (Collecto
Collector current  
−50  
V
−5  
V
−50  
A  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperaure  
PC  
5  
Tj  
125  
Storage temeratu
−55 to +125  
■ Electal Characteristis T= 25°C 3°C  
Paramer  
Symbo
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Mn  
−50  
−50  
−5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Cllectorse voltge (Emitteopen)  
Colvoltag(Base open)  
Emie (Collector open)  
Collectorf current (Emitr open)  
Collector-emitr cutoff current Base open)  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −1 mA, IB =
V
IE = −10 µA, IC = 0  
VCB = −0 V, IE = 0  
VCE = −10 V, IB = 0  
VCE = −10 V, IC = −2 mA  
V
− 0.1  
−100  
500  
µA  
µA  
ICEO  
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
200  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = −1 mA  
− 0.1 − 0.3  
V
fT  
VCB = −10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
250  
1.5  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
R
hFE  
200 to 400  
250 to 500  
Publication date: May 2007  
SJC00380AED  
1
1234

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