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2SA1791G

更新时间： 2024-11-02 20:06:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	223K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SA1791G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.79
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1791G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SA1791G

Silicon PNP epitaxial planar type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SC4656G

■ Features

• High transition frequency f_T

■ Package

• Code

• Small collector output capacitance C_ob

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

SSMini3-F3

• Marking Symbol: AL

• Pin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−50

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

−50

−5

−50

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

125

T_j

125

Storage temperature

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−50

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −10 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

− 0.1

−100

500

µA



I_CEO

Forward current transfer ratio

h_FE

200

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.1 − 0.3

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

250

1.5

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

200 to 400

250 to 500

Publication date: May 2007

SJC00380AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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