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2SA1795

更新时间： 2024-02-13 04:13:44

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新电元 - SHINDENGEN		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	377K
描述
Switching Power Transistor(-5A PNP)

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2SA1795 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	EPACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	最大关闭时间（toff）：	2000 ns
最大开启时间（吨）：	300 ns	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

2SA1795 数据手册

SHINDENGEN

Switching Power Transistor

LSV Series

OUTLINE DIMENSIONS

Case : E-pack

2SA1795

Unit : mm

(TE5T4)

-5A PNP

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings

Item

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Storage Temperature

Tstg

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-55～150

150

℃

Junction Temperature

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current DC

-60

-40

-7

-5

Collector Current Peak

Base Current DC

I_CP

I_B

-10

-1.5

Base Current Peak

I_BP

P_T

-2

Total Transistor Dissipation

Tc = 25℃

●Electrical Characteristics (Tc=25℃)

Item

Symbol

Conditions

I_C= -0.05A

Ratings

Min -40

Max -0.1

Min 70

Unit

Collector to Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

V_CEO(sus)

I_CBO

At rated Voltage

I_CEO

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

I_EBO

At rated Voltage

V_CE= -2V, I_C= -2.5A

I_C= -2.5A

h_FE

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter Saturation Voltage

Thermal Resistance

V_CE(sat)

V_BE(sat)

θjc

Max -0.3

Max -1.2

Max 12.5 ℃/W

TYP 50

Max 0.3

I_B= -0.13A

Junction to case

V_CE= -10V, I_C= -0.5A

Transition Frequency

f_T

ton

MHz

Turn on Time

I_C= -2.5A

Storage Time

Fall Time

I_B1= -0.25A, I_B2= -0.25A

R_L= 12Ω, V_BB2= -4V

Max 1.5

μs

Max 0.5

12 3 4 5 6 7 8

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