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2SA1797A

更新时间： 2024-11-21 20:10:51

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Transistor

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2SA1797A 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA1797A 数据手册

UTC2SA1797

PNPEPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

POWER TRANSISTOR

FEATURES

*Low saturation voltage.

VCE (sat)=-0.35V(Max) at IC / IB=-1A / -50mA

*Excellent DC current gain characteristics

SOT-89

1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{( Ta=25°C )}

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

UNIT

°C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-6

0.5

-2

-5

Collector Power Dissipation

Collector Current(DC)

Collector Current(PULSE) (note 1)

Junction Temperature

150

-55 ~ +150

Storage Temperature

TSTG

Note1: Single pulse, PW=10ms

ELECTRICAL CHARACTERISTICS^{(Ta=25°C,unless otherwise specified)}

PARAMETER

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

TEST CONDITIONS

Ic=-50µA

MIN TYP MAX UNIT

Collector-base Breakdown Voltage

Collector-emitter Breakdown Voltage

Emitter-base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

-50

-6

µA

Ic=-1mA

IE=-50µA

VCB=-50V

VEB=-5V

-0.1

Emitter Cutoff Current

IEBO

-0.1

-0.15 -0.35

400

Collector-emitter Saturation Voltage

DC Current transfer ratio

Transition Frequency

VCE(sat)

hFE

Cob

IC/IB=-1A/-50mA (note1)

VCE=-2V,Ic=-0.5A (note1)

VCE=-2V,IE=0.5A,f=100MHz

VCB=-10V,IE=0A,f=1MHz

120

200

MHz

Output Capacitance

Note 1: Measured using pulse current.

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R208-029,A

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