Datasheet > 2SA1791J

2SA1791J

更新时间： 2024-11-02 21:01:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1791J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1791J 数据手册

Transistors

2SA1791J

Silicon PNP epitaxial planar type

For high-frequency amplification

Complementary to 2SC4656J

Unit: mm

+0.05

–0.03

1.60

+0.03

0.12

–0.01

1.00 0.05

■ Features

• High transition frequency f_T

• Small collector output capacitance C_ob

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

0.27 0.02

(0.50)(0.50)

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−50

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

−50

−5

1 : Base

2 : Emitter

EIAJ : SC-89

−50

°C

3 : Collector

SSMini3-F1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

125

Marking Symbol: AL

T_j

125

Storage temperature

T_stg

−55 to +125

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−50

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −10 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

− 0.1

µA



I_CEO

−100

Forward current transfer ratio

h_FE

200

500

− 0.1 − 0.3

250

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 2 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

1.5

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

200 to 400

250 to 500

Publication date: September 2004

SJC00309AED

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SA1791J相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1791JQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1791Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-416
2SA1791R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-75,
2SA1791TX	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SA1795	SHINDENGEN	获取价格	Switching Power Transistor(-5A PNP)
2SA1796	SHINDENGEN	获取价格	Switching Power Transistor(-7A PNP)
2SA1797	KEXIN	获取价格	Power Transistor
2SA1797	WILLAS	获取价格	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors
2SA1797	TYSEMI	获取价格	Low saturation voltage. VCE(sat)=-0.35V(Max.) at IC / IB=-1A/-50mA.
2SA1797	ROHM	获取价格	Power Transistor (-50V, -2A)

与2SA1791J相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

5
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1791J

2SA1791J 技术参数

2SA1791J 数据手册

与2SA1791J相关器件

与2SA1791J相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SA1791J

2SA1791J 技术参数

2SA1791J 数据手册

与2SA1791J相关器件

与2SA1791J相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？