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2N7002K-T1-E3

更新时间： 2024-02-26 07:13:16

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	219K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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2N7002K-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5	其他特性：	LOW THRESHOLD, ESD PROTECTION, FAST SWITCHING
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.35 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002K-T1-E3 数据手册

Package Information

Vishay Siliconix

SOT-23 (TO-236): 3-LEAD

0.10 mm

0.004"

0.25 mm

Gauge Plane

Seating Plane

MILLIMETERS

INCHES

Dim

Min

0.89

0.01

Max

1.12

0.10

Min

0.035

0.0004

Max

0.044

0.004

A₁

A₂

0.88

0.35

0.085

2.80

2.10

1.20

1.02

0.50

0.18

3.04

2.64

1.40

0.0346

0.014

0.003

0.110

0.083

0.047

0.040

0.020

0.007

0.120

0.104

0.055

E₁

0.95 BSC

1.90 BSC

0.0374 Ref

e₁

0.0748 Ref

0.40

0.60

8°

0.016

0.024

8°

L₁

0.64 Ref

0.50 Ref

0.025 Ref

0.020 Ref

3°

ECN: S-03946-Rev. K, 09-Jul-01

DWG: 5479

Document Number: 71196

09-Jul-01

www.vishay.com

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