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2N7002K-T1-E3

更新时间： 2024-02-23 12:00:29

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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9页	219K
描述
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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2N7002K-T1-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5	其他特性：	LOW THRESHOLD, ESD PROTECTION, FAST SWITCHING
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.35 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002K-T1-E3 数据手册

2N7002K

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Duty Cycle = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

Single Pulse

0.01

-4

-3

-2

-1

Square Wave Pulse Duration (s)

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon

Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and

reliability data, see www.vishay.com/ppg?71333.

Document Number: 71333

S09-0857-Rev. E, 18-May-09

www.vishay.com

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