Datasheet > 2N7002DW-Q

2N7002DW-Q

更新时间： 2023-12-06 20:09:59

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		/
页数	文件大小	规格书
6页	296K
描述
N-CH

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7002DW-Q 数据手册

2N7002DW-Q

Preliminary

Power MOSFET



TYPICAL CHARACTERICS (Cont.)

Body Diode Forward Voltage Varisation

with Temperature

Breakdown Voltage Varisation

with Temperature

1.1

V_GS=0V

I_D= 250μA

1.075

0.5

1.05

T_J=125°C

25°C

0.1

1.025

0.05

0.01

0.975

0.005

0.95

0.001

0.925

1.2

1.4

0.8

-50

150

125

75 100

0.2

0.4

0.6

-25

Body Diode Forward Voltage, V_SD(V)

Junction Temperature, T_J(°C)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

5 of 6

QW-R209-153 a

www.unisonic.com.tw

1 2 3 456

下载PDF

与2N7002DW-Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002DWQ-13-F	DIODES	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWQ-7-F	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2N7002DWS	DIODES	60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
2N7002DWT/R13	PANJIT	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS	获取价格
2N7002DWT/R7	PANJIT	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS	获取价格
2N7002DW-TP	MCC	N-Channel MOSFET	获取价格