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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | CECC | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | NOT SPECIFIED | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6849EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6849HP | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6849PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6849SCC5206/003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849SCC5206/003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| 2N6849U | MICROSEMI |
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P-CHANNEL MOSFET |
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| 2N684A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 150V 200A 3-Pin TO-48 Box |
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| 2N684A | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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