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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6851EB | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851EC | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6851SCC5206/003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851TX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6851TXV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6851U | ETC |
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P-Channel |
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