是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.63 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏源导通电阻: | 0.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
参考标准: | EUROPEAN SPACE AGENCY | 表面贴装: | NO |
端子面层: | NOT SPECIFIED | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N6851TX | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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2N6851TXV | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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2N6851U | ETC | P-Channel |
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2N685A | CENTRAL | SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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2N685A | NJSEMI | Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin TO-48 Box |
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2N685LEADFREE | CENTRAL | Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-48, TO- |
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