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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6851EDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6851SCC5206/003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851TX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6851TXV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2N6851U | ETC |
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P-Channel |
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| 2N685A | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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| 2N685A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin TO-48 Box |
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| 2N685LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-48, TO- |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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