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2N687

更新时间: 2024-02-23 23:21:53
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CENTRAL 栅极可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS

2N687 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.09
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:250 V/us
最大直流栅极触发电流:40 mA最大直流栅极触发电压:2 V
JEDEC-95代码:TO-208AAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:25 A
断态重复峰值电压:300 V重复峰值反向电压:300 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:40
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N687 数据手册

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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