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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6849ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849HP | SEME-LAB |
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P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2N6849PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 2N6849SCC5206/003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849SCC5206/003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6849U | MICROSEMI |
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P-CHANNEL MOSFET |
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| 2N684A | NJSEMI |
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Thyristor SCR 150V 200A 3-Pin TO-48 Box |
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| 2N684A | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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| 2N684LEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 150V V(DRM), 150V V(RRM), 1 Element, TO-48, TO- |
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