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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | JESD-609代码： | e3 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N685 | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER 25 AMPS, 25 THRU 800 VOLTS |
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| 2N685 | KNOX |
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25 and 35 Amp RMS SCRs |
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| 2N685 | INFINEON |
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25 and 35 Amp RMS SCRs |
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| 2N685 | NJSEMI |
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DIFFUSED SILICON PNPN CINTROLLED RECTIFIER |
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| 2N6850 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
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| 2N6851 | SEME-LAB |
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P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N6851 | INFINEON |
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-200V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6851 with Hermetic Packag |
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| 2N6851EA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851EB | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| 2N6851EC | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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