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2N6851

更新时间： 2024-09-20 03:56:23

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SEME-LAB		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
1页	15K
描述
P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 Metal Package

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2N6851 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6851 数据手册

2N6851

Dimensions in mm (inches).

P-Channel MOSFET

8.64 (0.34)

9.40 (0.37)

8.01 (0.315)

9.01 (0.355)

in a

Hermetically sealed TO39

Metal Package.

4.06 (0.16)

4.57 (0.18)

0.89

max.

(0.035)

12.70

(0.500)

min.

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

P-Channel MOSFET.

V_DSS= 200V

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

I_D= 4A

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

R_DS(ON)= 0.8Ω

0.71 (0.028)

0.53 (0.021)

All Semelab hermetically sealed products can be

processed in accordance with the requirements

of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV and

JANS specifications.

45°

TO39 (TO205AF)

PINOUTS

1 – Source

2 – Gate

3 - Drain

Parameter

Min.

Typ.

Max.

200

Units

V_DSS

I_D

Drain – Source Breakdown Voltage

Continuous Drain Current

Power Dissipation

P_D

R_DS(ON)

C_ISS

Q_g

Static Drain – Source On–State Resistance

Input Capacitance

0.8

Ω

700

Total Gate Charge

34.8

t_td(on)

t_tr

t_td(off)

t_f

Turn–On Delay Time

Rise Time

100

Turn–Off Delay Time

Fall Time

This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact sales@semelab.co.uk.

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Generated

11-Oct-02

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2N6851 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6851	INFINEON	功能相似	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A)

与2N6851相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6851EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EDPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2N6851SCC5206/003	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6851TX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
2N6851TXV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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