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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 0.4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5578 | NJSEMI |
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SI NPN POWER BJT, I(C) |
|
| 2N5578 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 60A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| 2N5581 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N5581 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
|
| 2N5581E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
|
| 2N5582 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N5582 | NJSEMI |
获取价格 |
SSI NPN POWER BJT |
|
| 2N5582 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5582 | SEMICOA |
获取价格 |
Chip Type 2C2222A Geometry 0400 Polarity NPN |
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| 2N5582_02 | SEMICOA |
获取价格 |
Silicon NPN Transistor |
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