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2N5582E3

更新时间： 2024-01-08 12:08:26

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	52K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,

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2N5582E3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-46
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

2N5582E3 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 423

Devices

Qualified Level

JAN

2N5581

2N5582

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

Value

Unit

Vdc

mAdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

6.0

800

Total Power Dissipation

@ T_A= 25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= 25⁰C ⁽²⁾

0.5

2.0

P_T

⁰C

TO-46*

(TO-206AB)

Operating & Storage Junction Temperature Range

-55 to +200

T_op_,T

stg

1) Derate linearly 2.86 mW/⁰C for T_A> 25⁰C

2) Derate linearly 11.43 mW/⁰C for T_C> 25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Vdc

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

V_CB= 75 Vdc

I_CBO

hAdc

mAdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc

V_EB= 6.0Vdc

I_EBO

hAdc

mAdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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