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2N5583

更新时间: 2024-02-08 21:42:59
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NJSEMI /
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1页 119K
描述
PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

2N5583 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.75
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):25
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N5583 数据手册

  

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