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2N5584

更新时间： 2024-01-07 22:45:48

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
1页	75K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

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2N5584 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	70 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	极性/信道类型：	PNP
子类别：	Other Transistors

2N5584 数据手册

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与2N5584相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5584E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal,	获取价格
2N5587	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 120V V(BR)CEO \| 80A I(C) \| TO-114	获取价格
2N5588	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 80A I(C) \| TO-114	获取价格
2N5588E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 80A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-114, Metal,	获取价格
2N5589	MICROSEMI	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130...230MHz FM MOBILE APPLICATIONS	获取价格
2N5590	MICROSEMI	RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130...230MHz FM MOBILE APPLICATIONS	获取价格

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