5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-66 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5599 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
|
| 2N5599 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5599 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5599 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5599 | APITECH |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N560 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-29 |
|
| 2N5600 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
|
| 2N5600 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5600 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5600 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
