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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-66 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.31 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-213AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5603E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
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| 2N5604 | JMNIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5604 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
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| 2N5604 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5604 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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| 2N5604 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
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