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2N5607

更新时间： 2024-01-12 12:03:58

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SAVANTIC		晶体晶体管局域网
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3页	115K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2N5607 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	7
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

2N5607 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors 2N5605 2N5607 2N5609 2N5611

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For general-purpose amplifier ;

and switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-80

UNIT

2N5605

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

2N5607/5609

2N5611

-100

-120

-60

2N5605

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

Open collector

T_C=25ꢀ

2N5607/5609

2N5611

-80

-100

-5

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

ꢀ

-5

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

-65~150

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

4.37

ꢀ/W

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5607E3	MICROSEMI	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin,	获取价格
2N5608	SEME-LAB	Bipolar NPN Device Hermetically sealed TO66 Metal Package	获取价格
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