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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TO-114, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-114 | JESD-30 代码： | O-MUPM-X3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5589 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130...230MHz FM MOBILE APPLICATIONS |
|
| 2N5590 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130...230MHz FM MOBILE APPLICATIONS |
|
| 2N5590/B12-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 36V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-120VAR |
|
| 2N5591 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130...230MHz FM MOBILE APPLICATIONS |
|
| 2N5591/B25-12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 36V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-120VAR |
|
| 2N5597 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5597 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5597 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
|
| 2N5597 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5597 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
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