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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-XRPM-F4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 其他特性： | HIGH EFFICIENCY, WITH EMITTER BALLASTED RESISTORS |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 基于收集器的最大容量： | 70 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 18 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-XRPM-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5590/B12-12 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 36V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-120VAR |
|
| 2N5591 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE TRANSISTORS 130...230MHz FM MOBILE APPLICATIONS |
|
| 2N5591/B25-12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 36V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-120VAR |
|
| 2N5597 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5597 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5597 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 Metal Package |
|
| 2N5597 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5597 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5597E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin, |
|
| 2N5598 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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