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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5410 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, 4 |
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| 2N5411 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, |
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| 2N5412 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N5412E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N5414 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5414CECC | ETC |
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NPN |
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| 2N5415 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON PNP TRANSISTORS |
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| 2N5415 | BOCA |
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HIGH VOLTAGE AMPLIFIERS |
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| 2N5415 | MICROSEMI |
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PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5415 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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