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2N5416

更新时间： 2024-11-24 12:51:07

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COMSET		晶体晶体管高压
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3页	79K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

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2N5416 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2N5416 数据手册

PNP 2N5415 – 2N5416

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

The 2N5415 and 2N5416 are PNP transistors mounted in TO-39 metal case .

They are intended for use in high-voltage switching and linear amplifier applications.

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CEO

Ratings

Value

Unit

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

2N5415

2N5416

-200

-300

-200

-350

-4

Collector-Emitter Voltage (I_b= 0)

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_e= 0)

Emitter-Base Voltage (I_c= 0)

Collector Current

-6

-200

-400

I_CM

Peak Collector Current

Peak Base Current

I_BM

-200

_amb= 50°C

P_D

Total Power Dissipation

T_case= 25°C

T_J

Junction Temperature

200

°C

T_Stg

T_amb

Storage Temperature Range

Operating Ambient Temperature

-65 to +200

-65 to +150

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

R_thJ-a

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to ambient

Thermal Resistance, Junction to case

150

°C/W

R_thJ-c

17.5

°C/W

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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