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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.31 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 200 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-39 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N5415S | MICROSEMI |
完全替代  |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N5415S | MICROSEMI |
完全替代 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5415 | MICROSEMI |
完全替代 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5416 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N5416 | NXP |
获取价格 |
PNP high-voltage transistors |
|
| 2N5416 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTORS |
|
| 2N5416 | BOCA |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE AMPLIFIERS |
|
| 2N5416 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5416 | COMSET |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
|
| 2N5416 | NJSEMI |
获取价格 |
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N5416CSM4 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR |
|
| 2N5416S | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5416S | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
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