生命周期: | Transferred | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.15 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 200 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-39 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 10 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 15 MHz |
最大关闭时间(toff): | 10000 ns | 最大开启时间(吨): | 1000 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5415/B | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 200V 1A 3-Pin TO-39 |
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2N5415_00 | STMICROELECTRONICS | SILICON PNP TRANSISTORS |
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2N5415CSM4 | SEME-LAB | PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR |
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2N5415CSM4_11 | SEME-LAB | SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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2N5415S | MICROSEMI | PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N5415S | MOTOROLA | Transistor |
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