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2N5415S

更新时间： 2024-11-23 22:49:23

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		放大器
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4页	55K
描述
HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER

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2N5415S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

2N5415S 数据手册

2N5415S

HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER

DESCRIPTION

The 2N5415S is a silicon planar epitaxial PNP tran-

sistor in Jedec TO-39 metal case, intended for high

vol-tage switching and linear amplifier applications.

TO-39

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

Parameter

Collector-base Voltage (I_E= 0)

Value

– 200

– 4

Unit

Collector-emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-base Voltage (I_C= 0)

Collector Peak Current

– 1

P_{to t}

Total Power Dissipation at T_amb≤ 25 °C

at T_case≤ 25 °C

_{st g}, T_j

Storage and Junction Temperature

– 55 to 200

°C

October 1988

1/4

12 3 4

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