是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.13 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC): | 1 A |
集电极-发射极最大电压: | 200 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 30 | JEDEC-95代码: | MO-041BA |
JESD-30 代码: | R-CDSO-N4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 15 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5415CSM4_11 | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR | |
2N5415S | MICROSEMI |
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PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N5415S | MOTOROLA |
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Transistor | |
2N5415S | STMICROELECTRONICS |
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HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER | |
2N5416 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors | |
2N5416 | NXP |
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PNP high-voltage transistors | |
2N5416 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON PNP TRANSISTORS | |
2N5416 | BOCA |
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HIGH VOLTAGE AMPLIFIERS | |
2N5416 | MICROSEMI |
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PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR | |
2N5416 | COMSET |
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HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |