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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-111 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N5411 | APITECH | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-111, Metal, |
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| 2N5412 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N5412E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N5414 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
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| 2N5414CECC | ETC | NPN |
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| 2N5415 | STMICROELECTRONICS | SILICON PNP TRANSISTORS |
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