5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5415/B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 3-Pin TO-39 |
|
| 2N5415_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTORS |
|
| 2N5415CSM4 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR |
|
| 2N5415CSM4_11 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
|
| 2N5415S | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5415S | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N5415S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER |
|
| 2N5416 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N5416 | NXP |
获取价格 |
PNP high-voltage transistors |
|
| 2N5416 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTORS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
