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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5415/B | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 200V 1A 3-Pin TO-39 |
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| 2N5415_00 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON PNP TRANSISTORS |
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| 2N5415CSM4 | SEME-LAB |
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PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR |
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| 2N5415CSM4_11 | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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| 2N5415S | MICROSEMI |
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PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5415S | MOTOROLA |
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Transistor |
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| 2N5415S | STMICROELECTRONICS |
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HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER |
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| 2N5416 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N5416 | NXP |
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PNP high-voltage transistors |
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| 2N5416 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON PNP TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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