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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.15 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 10000 ns | 最大开启时间（吨）： | 1000 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5415/B | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 200V 1A 3-Pin TO-39 |
|
| 2N5415_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTORS |
|
| 2N5415CSM4 | SEME-LAB |
获取价格 |
PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR |
|
| 2N5415CSM4_11 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
|
| 2N5415S | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5415S | MOTOROLA |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2N5415S | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER |
|
| 2N5416 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N5416 | NXP |
获取价格 |
PNP high-voltage transistors |
|
| 2N5416 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTORS |
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