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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.14 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-111 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5412 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N5412E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
|
| 2N5414 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
|
| 2N5414CECC | ETC |
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NPN |
|
| 2N5415 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON PNP TRANSISTORS |
|
| 2N5415 | BOCA |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE AMPLIFIERS |
|
| 2N5415 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5415 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N5415 | NJSEMI |
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SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 |
|
| 2N5415 | COMSET |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
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