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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5194TIN/LEAD | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5195 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5195 | NJSEMI |
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SI PNP POWER BJT |
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| 2N5195 | STMICROELECTRONICS |
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MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5195 | ONSEMI |
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Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE) |
|
| 2N5195 | CENTRAL |
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PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
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| 2N5195 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2N5195 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5195_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N5195A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 Box |
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