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2N520

更新时间： 2024-01-25 05:19:02

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	337K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 12V V(BR)CEO \| TO-5

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技术参数
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2N520 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	100 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2N520 数据手册

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与2N520相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5200	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-46	获取价格
2N5202	GE	HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS	获取价格
2N5202	NJSEMI	HIGH-SPEED, SILICON N-P-N	获取价格
2N5202	ASI	Transistor	获取价格
2N5202PBFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor,	获取价格
2N5204	NJSEMI	MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS	获取价格

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