5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 250 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 40 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2 V | 通态非重复峰值电流： | 300 A |
| 最大通态电流： | 22000 A | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5206MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5206PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 22A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5207 | KNOX |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
|
| 2N5207 | INFINEON |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
|
| 2N5207 | NJSEMI |
获取价格 |
MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS |
|
| 2N5207M | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5207M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6 |
|
| 2N5207M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5207MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5207MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
