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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5207M | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N5207M | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6 |
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| 2N5207M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N5207MPBF | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N5207MPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N5207PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 22A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N5208 | NJSEMI |
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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| 2N5208 | MOTOROLA |
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CASE 29-04,STYLE 2 TO-92(TO-226AA) |
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| 2N5209 | ONSEMI |
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Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
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| 2N5209 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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