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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.1 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N520A | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-5 |
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| 2N521 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | TO-5 |
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| 2N5210 | SAMSUNG | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5210 | FAIRCHILD | NPN General Purpose Amplifier |
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| 2N5210 | ONSEMI | Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
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| 2N5210 | MICRO-ELECTRONICS | NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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