2N5210BU

更新时间： 2024-09-17 13:04:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器
页数	文件大小	规格书
2页	80K
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N5210BU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.05
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.62 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2N5210BU 数据手册

Discrete POWER & Signal

Technologies

2N5210

TO-92

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for low noise, high gain, general purpose

amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.5

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

100

°C

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5210

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

°C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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2N5210BU 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5210TA	FAIRCHILD	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

与2N5210BU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5210D26Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5210J05Z	FAIRCHILD	获取价格	100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 3 PIN
2N5210-J35Z	TI	获取价格	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5210L34Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5210LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5210M1TA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5210M1TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
2N5210RL1	MOTOROLA	获取价格	50mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5210RLRA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-92
2N5210RLRAG	ONSEMI	获取价格	暂无描述

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