2N5210

更新时间： 2024-02-21 08:31:37

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器
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2页	80K
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NPN General Purpose Amplifier

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2N5210 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.68	其他特性：	LOW NOISE
基于收集器的最大容量：	4 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

2N5210 数据手册

Discrete POWER & Signal

Technologies

2N5210

TO-92

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for low noise, high gain, general purpose

amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.

Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.5

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

100

°C

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5210

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

°C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5210/D26Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5210/D26Z-J05Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D26Z-J35Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D26Z-J60Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D27Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5210/D27Z-J18Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D27Z-J60Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D27Z-J61Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D74Z-J05Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D74Z-J60Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D75Z-J05Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/D75Z-J18Z	TI	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
2N5210/J05Z	TI	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2N5210_J05Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5210-18FLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F,	获取价格
2N5210-5F	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5F, 3	获取价格
2N5210APPLEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5210BU	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
2N5210BU	ONSEMI	Amplifier Transistors	获取价格
2N5210D26Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格

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