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2N5207M

更新时间: 2024-11-29 14:46:19
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威世 - VISHAY 栅极
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1页 51K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA

2N5207M 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.12Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:40 mA
JEDEC-95代码:TO-208AAJESD-30 代码:O-MUPM-D2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:35 A
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N5207M 数据手册

  

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