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2N5207M

更新时间: 2024-11-29 19:31:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 164K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6

2N5207M 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.28
关态电压最小值的临界上升速率:250 V/us最大直流栅极触发电流:40 mA
最大直流栅极触发电压:2 V通态非重复峰值电流:300 A
最大通态电流:22000 A断态重复峰值电压:1200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N5207M 数据手册

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