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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5202 | GE |
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HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
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| 2N5202 | NJSEMI |
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HIGH-SPEED, SILICON N-P-N |
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| 2N5202 | ASI |
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Transistor |
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| 2N5202PBFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, |
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| 2N5204 | NJSEMI |
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MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS |
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| 2N5204 | KNOX |
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25 and 35 Amp RMS SCRs |
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| 2N5204 | INFINEON |
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25 and 35 Amp RMS SCRs |
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| 2N5204M | VISHAY |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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| 2N5204M | STMICROELECTRONICS |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6 |
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| 2N5204M | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
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