5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 250 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 40 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2 V | 通态非重复峰值电流： | 300 A |
| 最大通态电流： | 22000 A | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5204MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5204MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5204PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 22A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5205 | KNOX |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
|
| 2N5205 | INFINEON |
获取价格 |
25 and 35 Amp RMS SCRs |
|
| 2N5205 | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 1KV 150A 3-Pin TO-48 |
|
| 2N5205M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6 |
|
| 2N5205M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 22000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Eleme |
|
| 2N5205MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
| 2N5205MPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
