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2N5206E3

更新时间: 2024-11-29 21:19:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 251K
描述
Silicon Controlled Rectifier

2N5206E3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N5206E3 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5206M STMICROELECTRONICS

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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6
2N5206M INFINEON

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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 22000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Ele
2N5206MPBF INFINEON

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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA
2N5206PBF INFINEON

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Silicon Controlled Rectifier, 22A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AA
2N5207 KNOX

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25 and 35 Amp RMS SCRs
2N5207 INFINEON

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25 and 35 Amp RMS SCRs
2N5207 NJSEMI

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MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS
2N5207M VISHAY

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Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA
2N5207M STMICROELECTRONICS

获取价格

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),22A I(T),TO-208VARM6
2N5207M INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AA