是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.25 | 最大集电极电流 (IC): | 4 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 7 | JEDEC-95代码: | TO-126 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 2 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N5195 | CENTRAL |
功能相似 |
PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N5196 | VISHAY |
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Monolithic N-Channel JFET Duals | |
2N5196 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET | |
2N5196 | NJSEMI |
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MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS | |
2N5196-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET | |
2N5197 | NJSEMI |
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MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS | |
2N5197 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET | |
2N5197 | VISHAY |
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Monolithic N-Channel JFET Duals | |
2N5198 | VISHAY |
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Monolithic N-Channel JFET Duals | |
2N5198 | INTERSIL |
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N-CHANNEL JFET | |
2N5198 | NJSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS |