2N5199

更新时间： 2024-11-27 22:45:03

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	60K
描述
Monolithic N-Channel JFET Duals

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2N5199 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2N5199 数据手册

2N5196/5197/5198/5199

Vishay Siliconix

Monolithic N-Channel JFET Duals

PRODUCT SUMMARY

Part Number V_GS(off)(V) V_(BR)GSSMin (V) g_fsMin (mS) I_GMax (pA) ꢀ V_GS1– V_GS2ꢀ Max (mV)

2N5196

2N5197

2N5198

2N5199

–0.7 to –4

–50

–15

FEATURES

BENEFITS

APPLICATIONS

D Monolithic Design

D High Slew Rate

D Tight Differential Match vs. Current

D Wideband Differential Amps

D Improved Op Amp Speed, Settling Time

D High-Speed, Temp-Compensated,

Accuracy

Single-Ended Input Amps

D Low Offset/Drift Voltage

D Low Gate Leakage: 5 pA

D Low Noise

D Minimum Input Error/Trimming Requirement

D Insignificant Signal Loss/Error Voltage

D High System Sensitivity

D High Speed Comparators

D Impedance Converters

D High CMRR: 100 dB

D Minimum Error with Large Input Signal

DESCRIPTION

The 2N5196/5197/5198/5199 JFET duals are designed for

high-performance differential amplification for a wide range of

precision test instrumentation applications. This series

features tightly matched specs, low gate leakage for accuracy,

and wide dynamic range with I_Gguaranteed at V_DG= 20 V.

The hermetically-sealed TO-71 package is available with full

military processing (see Military Information and the

2N5545/5546/5547JANTX/JANTXV data sheet).

For similar products see the low-noise U/SST401 series, the

high-gain 2N5911/5912, and the low-leakage U421/423 data

sheets.

TO-71

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50 V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA

Power Dissipation :

Notes

Per Side . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250 mW

Total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW

Lead Temperature ( / ” from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 _C

Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 200_C

Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C

a. Derate 2 mW/_C above 85_C

b. Derate 4 mW/_C above 85_C

Document Number: 70252

S-04031—Rev. D, 04-Jun-01

www.vishay.com

8-1

12 3 4 5 6

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与2N5199相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5199-E3	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET
2N520	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 12V V(BR)CEO \| TO-5
2N5200	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-46
2N5202	GE	获取价格	HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS
2N5202	NJSEMI	获取价格	HIGH-SPEED, SILICON N-P-N
2N5202	ASI	获取价格	Transistor
2N5202PBFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
2N5204	NJSEMI	获取价格	MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS
2N5204	KNOX	获取价格	25 and 35 Amp RMS SCRs
2N5204	INFINEON	获取价格	25 and 35 Amp RMS SCRs

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