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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.25 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 7 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5195LEADFREE | CENTRAL |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| 2N5195G | ONSEMI |
功能相似 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5195_00 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N5195A | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin TO-126 Box |
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| 2N5195G | ONSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2N5195LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2N5196 | VISHAY |
获取价格 |
Monolithic N-Channel JFET Duals |
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| 2N5196 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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| 2N5196 | NJSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS |
|
| 2N5196-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET |
|
| 2N5197 | NJSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS |
|
| 2N5197 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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